LED（light-emitting diode）已成为国际新兴战略产业界的竞争热点。在LED产业链中，上游包括衬底材料、外延、芯片设计及制造生产，中游涵盖封装工艺、装备和测试技术， 下游为LED显示、照明和灯具等应用产品。目前主要采用蓝光LED+黄色荧光粉工艺来实现白光大功率LED，即通过GaN基蓝光LED一部分蓝光激发 YAG（yttrium aluminum garnet）黄色荧光粉发射出黄光，另外一部分蓝光透过荧光粉发射出来，由黄色荧光粉发射的黄光与透射的蓝光混合后得到白光。蓝光LED芯片发出的蓝光 透过涂覆在其周围的黄色荧光粉，荧光粉被一部分蓝光激发后发出黄光，蓝光光谱与黄光光谱互相重叠后形成白光。
　　大功率LED封装作为产业链中承上启下的重要一环，是推进半导体照明和显示走向实用化的核心制造技术。只有通过开发低热阻、高光效和高可靠性的LED封装 和制造技术，对LED芯片进行良好的机械和电气保护，减少机械、电、热、湿和其他外部因素对芯片性能的影响，保障LED芯片稳定可靠的工作，才能提供高效 持续的高性能照明和显示效果，实现LED所特有的节能长寿优势，促进整个半导体照明和显示产业链良性发展。鉴于国外相关公司出于市场利益的考虑，对相关核 心技术和装备均采取封锁措施，因而发展自主的大功率LED封装技术特别是白光LED封装设备已迫在眉睫。本文将简要介绍大功率LED封装领域的研究与应用 现状，分析和总结大功率LED封装过程中的关键技术问题，以期引起国内同行的注意，为实现大功率LED关键技术和装备的自主化而努力。
　　封装工艺技术对LED性能起着至关重要的作用。LED封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电／机械特性、具体应用和成本等因素决定。随着 功率的增大，特别是固态照明技术发展的需求，对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。为了有效地降低封装热阻，提高出光效 率，必须采用全新的技术思路来进行封装设计。从工艺兼容性及降低生产成本的角度看，LED封装设计应与芯片设计同时进行，即芯片设计时就应该考虑到封装结 构和工艺。目前功率LED封装结构的主要发展趋势是：尺寸小型化、器件热阻最小化、平面贴片化、耐受结温最高化、单灯光通量最大化；目标是提高光通量、光 效，减少光衰、失效率，提高一致性和可靠性。具体而言，大功率LED封装的关键技术主要包括：热散技术、光学设计技术、结构设计技术、荧光粉涂覆技术、共 晶焊技术等。

　5、LED封装散热技术
　　一般的LED节点温度则不能超过120℃，即便是Lumileds、Nichia、CREE等推出的最新器件，其最高节点温度仍不能超过1500℃。因此 LED器件的热辐射效应基本可以忽略不计，热传导和对流是LED散热的主要方式。在散热设计时先从热传导方面考虑，因为热量首先从LED封装模块中传导到 散热器。所以粘结材料、基板是LED散热技术的关键环节。
　　粘结材料主要包括导热胶、导电银浆和合金焊料三种主要方式。导热胶是在基体内部加入一些高导热系数的填料，如SiC、A1N、A12O3、SiO2等，从 而提高其导热；导电银浆是将银粉加入环氧树脂中形成的一种复合材料，粘贴的硬化温度一般低于200℃，具有良好的导热特性、粘结性能可靠等优点，但银浆对 光的吸收比较大，导致光效下降。
　　基板主要包括陶瓷基板、陶瓷基板和复合基板三种主要方式。陶瓷基板主要是LTCC基板和AIN基板。LTCC基板具有易于成型、工艺简单、成本低而且容易 制成多种形状等诸多优点；Al和Cu都是LED封装基板的优良材料，由于金属材料的导电性，为使其表面绝缘，往往需通过阳极氧化处理，使其表面形成薄的绝 缘层。金属基复合材料主要有Cu基复合材料、Al基复合材料。Occhionero等人探究了AlSiC在倒装芯片、光电器件、功率器件及大功率LED散 热基板上的应用，在AlSiC中加入热解石墨还可以满足对散热要求更高的工况。未来的复合基板主要有5种：单片电路碳质材料、金属基复合材料、聚合物基复 合材料、碳复合材料和高级金属合金。
　　另外，封装界面对热阻影响也很大，改善LED封装的关键在于减少界面和界面接触热阻，增强散热。因此，芯片和散热基板间的热界面材料选择十分重要。采用低温或共晶焊料、焊膏或者内掺纳米颗粒的导电胶作为热界面材料，可大大降低界面热阻。